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IRG8B08N120KDPBF

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零件编号 IRG8B08N120KDPBF
制造商 Infineon Technologies
描述 DIODE 1200V 8A TO-220
封装 TO-220-3
库存 4,880 piece(s)
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IRG8B08N120KDPBF 产品规格
制造商Infineon Technologies
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - IGBTs - Single
封装TO-220-3
系列-
IGBT类型-
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）1200V
电流 - 收集器（Ic）（最大）15A
电流 - 集电极脉冲（Icm）15A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic2V @ 15V, 5A
力量 - 最大89W
开关能量300µJ (on), 300µJ (off)
输入类型Standard
门电荷45nC
Td（开/关）@ 25°C20ns/160ns
测试条件600V, 5A, 47 Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）50ns
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Through Hole
包/箱TO-220-3
供应商设备包TO-220AB

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IRG8B08N120KDPBF

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DIODE 1200V 8A TO-220

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