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HGT1S12N60A4S9A

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零件编号 HGT1S12N60A4S9A
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
描述 IGBT 600V 54A 167W TO263AB
封装 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
库存 2,432 piece(s)
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HGT1S12N60A4S9A 产品规格
制造商Fairchild/ON Semiconductor
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - IGBTs - Single
封装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
系列-
IGBT类型-
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）600V
电流 - 收集器（Ic）（最大）54A
电流 - 集电极脉冲（Icm）96A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic2.7V @ 15V, 12A
力量 - 最大167W
开关能量55µJ (on), 50µJ (off)
输入类型Standard
门电荷78nC
Td（开/关）@ 25°C17ns/96ns
测试条件390V, 12A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间（trr）-
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
包/箱TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备包TO-263AB

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零件编号 制造商 描述 库存

HGT1S12N60A4S9A

 Fairchild/ON Semiconductor

IGBT 600V 54A 167W TO263AB

 2,432

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