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GT60N321(Q)

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零件编号 GT60N321(Q)
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
描述 IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
封装 TO-3PL
库存 22,140 piece(s)
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GT60N321(Q) 产品规格
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - IGBTs - Single
封装TO-3PL
系列-
IGBT类型-
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）1000V
电流 - 收集器（Ic）（最大）60A
电流 - 集电极脉冲（Icm）120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic2.8V @ 15V, 60A
力量 - 最大170W
开关能量-
输入类型Standard
门电荷-
Td（开/关）@ 25°C330ns/700ns
测试条件-
反向恢复时间（trr）2.5µs
工作温度150°C (TJ)
安装类型Through Hole
包/箱TO-3PL
供应商设备包TO-3P(LH)

GT60N321(Q) Guarantees

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GT60N321(Q)

 Toshiba Semiconductor and Storage

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

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