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GT10J312(Q)

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零件编号 GT10J312(Q)
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
描述 IGBT 600V 10A 60W TO220SM
封装 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
库存 2,992 piece(s)
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GT10J312(Q) 产品规格
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - IGBTs - Single
封装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
系列-
IGBT类型-
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)600V
电流 - 收集器(Ic)(最大)10A
电流 - 集电极脉冲(Icm)20A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 10A
力量 - 最大60W
开关能量-
输入类型Standard
门电荷-
Td(开/关)@ 25°C400ns/400ns
测试条件300V, 10A, 100 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)200ns
工作温度150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
包/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包TO-220SM

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IGBT 600V 10A 60W TO220SM

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