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VS-GT400TH120N

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零件编号 VS-GT400TH120N
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
描述 IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
封装 Double INT-A-PAK (3 + 8)
库存 3,408 piece(s)
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VS-GT400TH120N 产品规格
制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - IGBTs - Modules
封装Double INT-A-PAK (3 + 8)
系列-
IGBT类型Trench
组态Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)1200V
电流 - 收集器(Ic)(最大)600A
力量 - 最大2119W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 400A
电流 - 收集器截止(最大)5mA
输入电容(Cies)@ Vce28.8nF @ 25V
输入Standard
NTC热敏电阻No
工作温度150°C (TJ)
安装类型Chassis Mount
包/箱Double INT-A-PAK (3 + 8)
供应商设备包Double INT-A-PAK

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VS-GT400TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 600A 2119W DIAP

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