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VS-GT100TP120N

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零件编号 VS-GT100TP120N
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
描述 IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
封装 INT-A-PAK (3 + 4)
库存 7,952 piece(s)
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VS-GT100TP120N 产品规格
制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - IGBTs - Modules
封装INT-A-PAK (3 + 4)
系列-
IGBT类型Trench
组态Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)1200V
电流 - 收集器(Ic)(最大)180A
力量 - 最大652W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.35V @ 15V, 100A
电流 - 收集器截止(最大)5mA
输入电容(Cies)@ Vce12.8nF @ 30V
输入Standard
NTC热敏电阻No
工作温度175°C (TJ)
安装类型Chassis Mount
包/箱INT-A-PAK (3 + 4)
供应商设备包INT-A-PAK

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零件编号 制造商 描述 库存

VS-GT100TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK

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