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VS-GB75LP120N

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零件编号 VS-GB75LP120N
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
描述 IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK
封装 INT-A-PAK (3 + 4)
库存 5,712 piece(s)
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VS-GB75LP120N 产品规格
制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - IGBTs - Modules
封装INT-A-PAK (3 + 4)
系列-
IGBT类型-
组态Single
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)1200V
电流 - 收集器(Ic)(最大)170A
力量 - 最大658W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.82V @ 15V, 75A (Typ)
电流 - 收集器截止(最大)1mA
输入电容(Cies)@ Vce5.52nF @ 25V
输入Standard
NTC热敏电阻No
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Chassis Mount
包/箱INT-A-PAK (3 + 4)
供应商设备包INT-A-PAK

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零件编号 制造商 描述 库存

VS-GB75LP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 170A 658W INT-A-PAK

5,712

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