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TH58NYG3S0HBAI6

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零件编号 TH58NYG3S0HBAI6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
描述 IC EEPROM 8GBIT 25NS 67VFBGA
封装 67-VFBGA
库存 7,536 piece(s)
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TH58NYG3S0HBAI6 产品规格
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
类别Integrated Circuits (ICs) - Memory
封装67-VFBGA
系列-
记忆类型Non-Volatile
内存格式EEPROM
技术EEPROM - NAND
内存大小8Gb (1G x 8)
内存接口Parallel
时钟频率-
写周期时间 - Word，Page25ns
访问时间25ns
电压 - 电源1.7 V ~ 1.95 V
工作温度-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型Surface Mount
包/箱67-VFBGA
供应商设备包67-VFBGA (6.5x8)

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零件编号 制造商 描述 库存

TH58NYG3S0HBAI6

 Toshiba Semiconductor and Storage

IC EEPROM 8GBIT 25NS 67VFBGA

 7,536

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