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SI9926BDY-T1-GE3

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零件编号 SI9926BDY-T1-GE3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
封装 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
库存 3,600 piece(s)
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SI9926BDY-T1-GE3 产品规格
制造商Vishay Siliconix
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
封装8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
系列TrenchFET?
FET类型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏极到源极电压（Vdss）20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C6.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@Id1.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs20nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds-
力量 - 最大1.14W
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
包/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包8-SO

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零件编号 制造商 描述 库存

SI9926BDY-T1-GE3

 Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

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