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SI7960DP-T1-GE3

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零件编号 SI7960DP-T1-GE3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
封装 PowerPAK? SO-8 Dual
库存 37,032 piece(s)
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SI7960DP-T1-GE3 产品规格
制造商Vishay Siliconix
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
封装PowerPAK? SO-8 Dual
系列TrenchFET?
FET类型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏极到源极电压（Vdss）60V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C6.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs21 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs（th）（Max）@Id3V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs75nC @ 10V
输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds-
力量 - 最大1.4W
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
包/箱PowerPAK? SO-8 Dual
供应商设备包PowerPAK? SO-8 Dual

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SI7960DP-T1-GE3

 Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

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