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SI5519DU-T1-GE3

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零件编号 SI5519DU-T1-GE3
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
封装 PowerPAK? ChipFET? Dual
库存 6,064 piece(s)
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SI5519DU-T1-GE3 产品规格
制造商Vishay Siliconix
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
封装PowerPAK? ChipFET? Dual
系列TrenchFET?
FET类型N and P-Channel
FET功能Standard
漏极到源极电压（Vdss）20V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@Id1.8V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs17.5nC @ 10V
输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds660pF @ 10V
力量 - 最大10.4W
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
包/箱PowerPAK? ChipFET? Dual
供应商设备包PowerPAK? ChipFet Dual

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SI5519DU-T1-GE3

 Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs

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