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RN1106MFV(TL3,T)

RN1106MFV(TL3,T)

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零件编号 RN1106MFV(TL3,T)
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
封装 SOT-723
库存 1,824,000 piece(s)
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RN1106MFV(TL3,T) 产品规格
制造商Toshiba Semiconductor and Storage
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
封装SOT-723
系列-
晶体管类型NPN - Pre-Biased
电流 - 收集器（Ic）（最大）100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47k
直流电流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce80 @ 10mA, 5V
Vce饱和度（最大值）@ Ib，Ic300mV @ 500µA, 5mA
电流 - 收集器截止（最大）500nA
频率 - 过渡-
力量 - 最大150mW
安装类型Surface Mount
包/箱SOT-723
供应商设备包VESM

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RN1106MFV(TL3,T)

 Toshiba Semiconductor and Storage

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

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