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RJM0603JSC-00#12

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零件编号 RJM0603JSC-00#12
制造商 Renesas Electronics America
描述 MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
封装 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
库存 6,400 piece(s)
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RJM0603JSC-00#12 产品规格
制造商Renesas Electronics America
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
封装20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
系列Automotive, AEC-Q101
FET类型3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏极到源极电压（Vdss）60V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（Max）@Id2.5V @ 1mA
栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs43nC @ 10V
输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds2600pF @ 10V
力量 - 最大54W
工作温度175°C
安装类型Surface Mount
包/箱20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
供应商设备包20-HSOP

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RJM0603JSC-00#12

 Renesas Electronics America

MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

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