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IRFHM830DTRPBF

IRFHM830DTRPBF

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零件编号 IRFHM830DTRPBF
制造商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
封装 8-VQFN Exposed Pad
库存 6,320 piece(s)
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IRFHM830DTRPBF 产品规格
制造商Infineon Technologies
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single
封装8-VQFN Exposed Pad
系列HEXFET?
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C20A (Ta), 40A (Tc)
驱动电压（Max Rds On，Min Rds On）4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@Id2.35V @ 50µA
栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs27nC @ 10V
输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds1797pF @ 25V
Vgs（最大）±20V
FET功能-
功耗（最大值）2.8W (Ta), 37W (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs4.3 mOhm @ 20A, 10V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包PQFN (3x3)
包/箱8-VQFN Exposed Pad

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 Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

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