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IRFD113

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零件编号 IRFD113
制造商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
封装 4-DIP (0.300", 7.62mm)
库存 4,400 piece(s)
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IRFD113 产品规格
制造商Vishay Siliconix
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single
封装4-DIP (0.300", 7.62mm)
系列-
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压（Vdss）60V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C800mA (Tc)
驱动电压（Max Rds On，Min Rds On）10V
Vgs（th）（Max）@Id4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs7nC @ 10V
输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds200pF @ 25V
Vgs（最大）±20V
FET功能-
功耗（最大值）1W (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs800 mOhm @ 800mA, 10V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Through Hole
供应商设备包4-HVMDIP
包/箱4-DIP (0.300", 7.62mm)

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