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IRF1902GTRPBF

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零件编号 IRF1902GTRPBF
制造商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
封装 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
库存 158,328 piece(s)
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IRF1902GTRPBF 产品规格
制造商Infineon Technologies
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single
封装8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
系列HEXFET?
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C4.2A (Ta)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)-
Vgs(th)(Max)@Id700mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs7.5nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds310pF @ 15V
Vgs(最大)-
FET功能-
功耗(最大值)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs85 mOhm @ 4A, 4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包8-SO
包/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC

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