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IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13

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零件编号 IPD30N06S2L-13
制造商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
封装 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
库存 260,268 piece(s)
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IPD30N06S2L-13 产品规格
制造商Infineon Technologies
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single
封装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
系列OptiMOS?
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压(Vdss)55V
电流 - 连续漏极(Id)@ 25°C30A (Tc)
驱动电压(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@Id2V @ 80µA
栅极电荷(Qg)(最大值)@Vgs69nC @ 10V
输入电容(Ciss)(最大值)@ Vds1800pF @ 25V
Vgs(最大)±20V
FET功能-
功耗(最大值)136W (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs13 mOhm @ 30A, 10V
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包PG-TO252-3
包/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD30N06S2L-13

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MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

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