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IPD053N08N3GBTMA1

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零件编号 IPD053N08N3GBTMA1
制造商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
封装 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
库存 6,928 piece(s)
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IPD053N08N3GBTMA1 产品规格
制造商Infineon Technologies
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single
封装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
系列OptiMOS?
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压（Vdss）80V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C90A (Tc)
驱动电压（Max Rds On，Min Rds On）6V, 10V
Vgs（th）（Max）@Id3.5V @ 90µA
栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs69nC @ 10V
输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds4750pF @ 40V
Vgs（最大）±20V
FET功能-
功耗（最大值）150W (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs5.3 mOhm @ 90A, 10V
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包PG-TO252-3
包/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD053N08N3GBTMA1

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MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

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