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IPB097N08N3 G

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零件编号 IPB097N08N3 G
制造商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
封装 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
库存 390,000 piece(s)
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IPB097N08N3 G 产品规格
制造商Infineon Technologies
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single
封装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
系列OptiMOS?
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压（Vdss）80V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C70A (Tc)
驱动电压（Max Rds On，Min Rds On）6V, 10V
Vgs（th）（Max）@Id3.5V @ 46µA
栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs35nC @ 10V
输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds2410pF @ 40V
Vgs（最大）±20V
FET功能-
功耗（最大值）100W (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs9.7 mOhm @ 46A, 10V
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包PG-TO263-2
包/箱TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB097N08N3 G Guarantees

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IPB097N08N3 G

 Infineon Technologies

MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

 390,000

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