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IPB072N15N3GE8187ATMA1

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零件编号 IPB072N15N3GE8187ATMA1
制造商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
封装 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
库存 3,712 piece(s)
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IPB072N15N3GE8187ATMA1 产品规格
制造商Infineon Technologies
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single
封装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
系列OptiMOS?
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压（Vdss）150V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C100A (Tc)
驱动电压（Max Rds On，Min Rds On）8V, 10V
Vgs（th）（Max）@Id4V @ 270µA
栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs93nC @ 10V
输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds5470pF @ 75V
Vgs（最大）±20V
FET功能-
功耗（最大值）300W (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs7.2 mOhm @ 100A, 10V
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包PG-TO263-3-2
包/箱TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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零件编号 制造商 描述 库存

IPB072N15N3GE8187ATMA1

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MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

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