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EPC2100ENG

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零件编号 EPC2100ENG
制造商 EPC
描述 TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
封装 Die
库存 5,296 piece(s)
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EPC2100ENG 产品规格
制造商EPC
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
封装Die
系列eGaN?
FET类型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能GaNFET (Gallium Nitride)
漏极到源极电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C9.5A, 38A
Rds On（Max）@ Id，Vgs8 mOhm @ 25A, 5V
Vgs（th）（Max）@Id2.5V @ 4mA
栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs3.5nC @ 15V
输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds380pF @ 15V
力量 - 最大-
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
包/箱Die
供应商设备包Die

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TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE

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