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EPC2029ENGR

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零件编号 EPC2029ENGR
制造商 EPC
描述 TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
封装 Die
库存 6,336 piece(s)
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EPC2029ENGR 产品规格
制造商EPC
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single
封装Die
系列eGaN?
FET类型N-Channel
技术GaNFET (Gallium Nitride)
漏极到源极电压（Vdss）80V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C31A (Ta)
驱动电压（Max Rds On，Min Rds On）5V
Vgs（th）（Max）@Id2.5V @ 12mA
栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs13nC @ 5V
输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds1400pF @ 40V
Vgs（最大）+6V, -4V
FET功能-
功耗（最大值）-
Rds On（Max）@ Id，Vgs3.2 mOhm @ 30A, 5V
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包Die
包/箱Die

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