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BSM150GB170DN2HOSA1

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零件编号 BSM150GB170DN2HOSA1
制造商 Infineon Technologies
描述 MODULE IGBT 1700V
封装 Module
库存 3,408 piece(s)
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BSM150GB170DN2HOSA1 产品规格
制造商Infineon Technologies
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - IGBTs - Modules
封装Module
系列-
IGBT类型-
组态Half Bridge
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）1700V
电流 - 收集器（Ic）（最大）220A
力量 - 最大1250W
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic3.9V @ 15V, 150A
电流 - 收集器截止（最大）1.5mA
输入电容（Cies）@ Vce20nF @ 25V
输入Standard
NTC热敏电阻No
工作温度150°C (TJ)
安装类型Chassis Mount
包/箱Module
供应商设备包Module

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零件编号 制造商 描述 库存

BSM150GB170DN2HOSA1

 Infineon Technologies

MODULE IGBT 1700V

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