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BSB012N03LX3 G

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零件编号 BSB012N03LX3 G
制造商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
封装 3-WDSON
库存 3,520 piece(s)
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BSB012N03LX3 G 产品规格
制造商Infineon Technologies
类别Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - Single
封装3-WDSON
系列OptiMOS?
FET类型N-Channel
技术MOSFET (Metal Oxide)
漏极到源极电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C39A (Ta), 180A (Tc)
驱动电压（Max Rds On，Min Rds On）4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@Id2.2V @ 250µA
栅极电荷（Qg）（最大值）@Vgs169nC @ 10V
输入电容（Ciss）（最大值）@ Vds16900pF @ 15V
Vgs（最大）±20V
FET功能-
功耗（最大值）2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs1.2 mOhm @ 30A, 10V
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型Surface Mount
供应商设备包MG-WDSON-2, CanPAK M?
包/箱3-WDSON

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零件编号 制造商 描述 库存

BSB012N03LX3 G

 Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON

 3,520

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